(中央社记者张建中新竹22日电)全球半导体资本支出今年可望首度突破1000亿美元大关,预估达1026亿美元,将较去年增加14%。
研调机构IC Insights原先预估,三星(Samsung)今年资本支出约200亿美元,将较去年减少42亿美元,并影响今年全球半导体资本支出成长趋缓,估增加约8%。
不过,三星第1季实际资本支出达67.2亿美元,微幅高于过去3季的平均水准,IC Insights认为,三星今年资本支出有可能会高于预期。
因动态随机存取内存(DRAM)与储存型闪存(NAND Flash)市况依然强劲,SK海力士(Hynix)今年资本支出将自去年的81亿美元,攀高至115亿美元,年增率预估达42%。
IC Insights预期,今年全球半导体资本支出将首度突破1000亿美元大关,预估达到1026亿美元规模,较去年增加14%,增幅高于原本预估的8%。(编辑:张良知)1070522