太极能(4934)利多出鞘，取得国家专利授权、大步迈向次世代半导体碳化硅（silicon carbide）元年。太极能和国家中山科学研究院共同举行发布会，太极能董事长谢清福表示，借由本次与国家中山科学研究院合作，太极能第三代半导体掌握次世代关键碳化硅技术，开创节能环保永续企业价值。太极能曾在2013年创下太阳能获利领先公司，但近10年太阳能产业供过于求，很多公司已消失，而太极能仍屹立不摇，工厂搬到越南后营运再上一层楼，而此次获得中科院的技术授权后，营运将更如虎添翼！

低耗能、高效率、微型化，已成为电子产品发展的三大主流趋势。然而为了提供电子装置更高的能源效率，需要发展效率更高、性能更好的新一代功率元件。在过去功率元件的基本材料多半都是以硅（Si）为主，这也是传统最为普遍的半导体材料，然而在近年开始遭遇到低耗能、高效能与小型化等三大挑战，这使得新一代的半导体材料碳化硅（Silicon Carbide；SiC）受到市场强烈关注。
碳化硅相较于硅半导体，更偏重于其功率损耗与高温工作特性，优于传统的硅半导体元件，此材料能够降低能源的切换损耗，即使在高温环境下，仍具备绝佳的工作特性，因此被看中将成为新一代的高功率元件材料。
环保节能议题当道，碳化硅已经被认为是解决能源效率主流方案，而这也正是碳化硅在这个节能与小型化当道的年代，会被市场关注与重视的原因。碳化硅不论在热力学、化学与物理学等方面，都是安定非常高的化合物半导体。更具备超越硅半导体的低电阻、高速工作及高温工作特性，而且能有效降低电力输送损耗。