韩国三星电子14日宣布，将在2021年推出突破性的芯片3奈米制程“环绕式闸极结构”（Gate-All-Around，GAA）技术，重新设计晶体管底层结构，号称将可提升速度性能35%，使用空间减少45%，电力消耗减少50%。
科技网站CNET报导，三星在三星晶圆代工论坛（Samsung Foundry Forum）中表示，GAA技术将是三星与台积电、英特尔竞争中的重要一步，重新设计芯片核心的晶体管，使晶体管更小、更快。近年来，芯片制造业者都苦于克服芯片最小化的工程挑战。
International Business Strategies首席执行官Handel Jones指出，三星的材料研究计划正开始获得回报；他说：“三星在GAA技术方面已经超越台积电，可能领先达12个月。英特尔可能落后三星两到三年。”
报导指出，三星的GAA可望使摩尔定律延续，让智能手机、智慧手表、智慧汽车和智慧住家更聪明。三星晶圆事业行销副总裁Ryan Lee说：“GAA技术将代表我们的芯片事业进入新年代。”
