ANSYS（NASDAQ: ANSS）今日宣布，日前针对台积电 （2330） 创新系统整合芯片 （TSMC-SoIC） 先进3D芯片堆叠技术，所开发的解决方案，已获台积电认证（路透）
ANSYS（NASDAQ: ANSS）今日宣布，日前针对台积电 （2330） 创新系统整合芯片 （TSMC-SoIC） 先进3D芯片堆叠技术，所开发的解决方案，已获台积电认证，除SoIC认证外，台积电也验证了运用ANSYS RedHawk、ANSYS RedHawk-CTA、ANSYS CMA、和ANSYS CSM的最新Chip-on-Wafer-on-Substrate （CoWoS） 封装技术参考流程，以及对应的系统层级分析芯片模型，可满足云端和资料中心应用持续增长的效能、可靠度和电源需求。
ANSYS表示，SoIC是一种运用Through Silicon Via （TSV，硅导通孔）和chip-on-wafer接合制程，针对多晶粒堆叠系统层级整合的先进互连技术，对高度复杂、要求严苛的云端和资料中心应用而言，能提供更高的电源效率和效能。
其中TSV是一种让3D IC封装遵循摩尔定律的互连技术，可堆叠多片芯片，其设计概念来自于印刷电路板，在芯片钻出小洞，从底部填充入金属， 硅晶圆上以“蚀刻”或“激光”方式钻孔，再以导电材料如铜、多晶硅、钨等物质填满，优点在于可提供比打线接合更短的互连路径、更低的电阻与电感，以及更有效率地传递讯号与电力，还拥有不限制裸晶堆叠数量等优势。
ANSYS的SoIC多物理场 （multiphysics）解决方案，在支援萃取（extraction）多晶粒共同模拟 （co-simulation） 和共同分析 （co-analysis）、电源和讯号完整性分析、电源和讯号电子迁移（electromigration；EM）分析以及热和热应力分析等多条件下，获台积电认证通过采用。
台积电设计基础架构行销事业部资深协理Suk Lee表示，双方合作推出TSMC-SoIC的成果，让客户可以满足云端和资料中心应用持续增长的效能、可靠度和电源需求。本次合作结合了ANSYS的完整芯片-封装共同分析（chip-package co-analysis）解决方案及台积电的SoIC先进制程堆叠技术，来因应复杂的3D-IC封装技术多物理场挑战。
