工程模拟厂商 ANSYS（NASDAQ: ANSS）今天宣布，与台积电（2330）合作，已经透过全新认证和完整半导体设计解决方案，完成5奈米FinFET制程技术认证（资料照）
工程模拟厂商 ANSYS（NASDAQ: ANSS）今天宣布，与台积电（2330）合作，已经透过全新认证和完整半导体设计解决方案，完成5奈米FinFET制程技术认证，帮助共同客户满足新世代行动、网络、5G、人工智能 （AI）、云端和资料中心应用持续增长的创新需求，包括推动电源与热限制环境中，突破效能的极限，尤其在AI应用部分，包括云端与边缘运算的训练及资料推论，都需要功率更高且功能更强大、高效的处理器。
ANSYS指出，台积电针对其最新5奈米（nm）FinFET制程技术，进行ANSYS RedHawk和ANSYS Totem 多物理场 （multiphysics）解决方案的认证。这些认证包括萃取（extraction）、电源完整性和可靠度、讯号电子迁移 （electromigration；EM） 和热可靠度分析、以及统计EM预算 （SEB） 分析。这些认证的行动最佳化和高效能运算 （HPC） 应用，可支援台积电最先进制程技术的低耗电解决方案。
台积电设计基础架构行销事业部资深协理Suk Lee表示，ANSYS解决方案针对台积电领先业界的5奈米FinFET、7奈米、以及7奈米FinFET Plus制程认证，让我们的共同客户，可因应不断增长的效能、可靠度和电源挑战更有信心地确认并认证其设计。双方合作的，主要帮助客户在尖端AI、资料中心、云端和行动应用方面等高成长市场获得成功。
ANSYS总经理John Lee表示，多物理场分析支援7nm及更小的FinFET芯片设计。很荣幸能与台积电合作提供解决方案，帮助我们共同的客户达成对于电源、效能、芯片面积和可靠度的目标。
台积电3日就宣布，在开放创新平台（Open Innovation Platform,OIP）之下推出5奈米设计架构的完整版本，且制程已进入试产阶段，
