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三星电子表示,已开发全球最小的动态随机存取内存(DRAM)芯片,较竞争对手的技术领先优势扩大。
该公司称,“第二代”10纳米级8Gb DRAM芯片的功耗和数据处理性能均改善,将用于云计算中心、移动设备和高速显卡等高端数据处理电子产品。
同时,亦将在明年把现有大部分DRAM生产,转为10纳米级芯片。